Name: Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6463BDQ-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-E3

Artikelnummer:

SI6463BDQ-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Datenblätte:

1.SI6463BDQ-T1-E3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Material Compliance.pdf SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf

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ROHS3 -konform

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI6463BDQ-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-TSSOP
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 7.4A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paket	Cut Tape (CT)
Befestigungsart	Surface Mount

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.2A (Ta)
Grundproduktnummer	SI6463
SI6463BDQ-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI6463BDQ-T1-E3 PDF - EN.pdf

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